MF161700 - SEMI MF1617 - Test Method for Measuring Surface Sodium, Aluminum, Potassium, and Iron on Silicon and EPI Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry StdTpc-300 mm Carriers & Physical Interfaces 本スタンダードは，global Photovoltaic Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年12月16日，global Audits and

本スタンダードは，global Photovoltaic Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年12月16日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年2月にwww

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SEMI D65-0719 (technical revision)

MF161700 - SEMI MF1617 - Test Method for Measuring Surface Sodium, Aluminum, Potassium, and Iron on Silicon and EPI Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry StdTpc-300 mm Carriers & Physical Interfaces 本スタンダードは，global Photovoltaic Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年12月16日，global Audits andNOTICE: This Document was reapproved with minor editorial changes. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) can measure on polished silicon wafer product the following: the sodium and potassium areal densities that can affect voltage flatband shifts in integrated circuits, and, the aluminum areal density that can affect the thermal oxide growth rate. the iron areal density that can affect gate oxide integrity, minority carrier lifetime, and current